| 三星電子宣布將盡早把3nm G技術(shù)商業(yè)化[] |
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三星電子設(shè)備解決方案（DS）業(yè)務(wù)部門的首席技術(shù)官JeongEunseung日前在線上“三星電子技術(shù)職業(yè)論壇”上宣布，該公司將盡早將3nmGAA技術(shù)商業(yè)化。
據(jù)韓媒businesskorea報道，JeongEunseung表示：“我們正在開發(fā)領(lǐng)先于主要競爭對手臺積電的GAA技術(shù)，一旦攻克這項技術(shù)，我們的晶圓代工事業(yè)將進(jìn)一步發(fā)展。”
據(jù)悉，GAA技術(shù)被認(rèn)為是3nm制程的關(guān)鍵，該工藝將被全球頂級晶圓代工公司采用。GAA技術(shù)的關(guān)鍵之處在于改變晶體管結(jié)構(gòu)，將之由鰭式場效電晶體（FinFET）的3D轉(zhuǎn)為GAA的4D。
三星電子透露，2019年在客戶中進(jìn)行的3nmGAA工藝設(shè)計測試結(jié)果顯示，GAA技術(shù)將芯片面積減少了45%，功率效率提高了50%。
行業(yè)分析師指出，誰先將首先將GAA技術(shù)商業(yè)化，還有待進(jìn)一步觀察。這是因為臺積電在早期也積極將該技術(shù)商業(yè)化。2011年至2020年間，全球31.4%的GAA專利來自臺積電，三星電子的GAA專利占20.6%。
三星電子表示，其在技術(shù)上與臺積電并駕齊驅(qū)。JeongEunseung指出，三星的晶圓代工事業(yè)2017年才開始，不過我們將憑借在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)根基，超越臺積電。他舉例三星曾在臺積電之前，就開發(fā)了一款搭載FinFET技術(shù)的14MHz產(chǎn)品。 |
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