SIC單晶爐是針對(duì)碳化硅單晶生長(zhǎng)專用工藝設(shè)備，也可用于氮化鋁的單品生長(zhǎng)工藝。
SIC單晶爐設(shè)備特點(diǎn)：
設(shè)備采用高頻電源感應(yīng)加熱、水冷感應(yīng)線圈，水冷箱及高溫密封，并具備對(duì)生長(zhǎng)室內(nèi)的高真空度進(jìn)行檢測(cè)、溫度的精確測(cè)量、加熱過程的程序化控制，石墨坩堝與感應(yīng)加熱線圈之間相對(duì)位置的調(diào)節(jié)以及Ar等多種氣體的定量定壓供給等功能，使設(shè)備在冷卻、隔熱和抗電磁輻射等方面有著非常好的效果；
設(shè)備為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)理想的工藝環(huán)境條件，保證SiC晶體的穩(wěn)定生長(zhǎng)；
設(shè)備可以有效的避免加熱裝置對(duì)晶體的污染，同時(shí)也相對(duì)增加了工作空間。
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